研究成就與看點：
本研究挑戰(zhàn)了基于連續(xù)模式測試評估鈣鈦礦太陽能電池 (pero-SCs) 運行壽命的普遍方法，發(fā)現(xiàn)高效 FAPbI3 鈣鈦礦太陽能電池在自然晝夜循環(huán)模式下的衰減速度實際上要快得多。[1] 研究揭示，關(guān)鍵因素是運行過程中鈣鈦礦熱脹冷縮引起的晶格應(yīng)變，這種效應(yīng)在連續(xù)照明模式下逐漸放松，但在循環(huán)模式下同步循環(huán)。循環(huán)模式下的周期性晶格應(yīng)變會導(dǎo)致運行過程中深陷阱積累和化學(xué)降解，從而降低離子遷移勢并縮短器件壽命。 為了解決這一問題，研究人員引入了苯基硒化氯 (Ph-Se-Cl) 來調(diào)節(jié)晝夜循環(huán)過程中的鈣鈦礦晶格應(yīng)變，在改性后，在循環(huán)模式下實現(xiàn)了 26.3% 的認(rèn)證效率和 10 倍提升的 T80 壽命。
文章作者與背景信息
這篇文章標(biāo)題為《應(yīng)變調(diào)節(jié)推遲鈣鈦礦太陽能電池的自然運行衰減》，發(fā)表在《自然》期刊上。 文章詳細(xì)介紹了作者的研究成果，重點探討了鈣鈦礦太陽能電池在自然晝夜循環(huán)模式下加速衰減的現(xiàn)象，并提出了一種通過添加劑調(diào)節(jié)晶格應(yīng)變來提升器件穩(wěn)定性的方法。
作者信息:
本文共有 21 位作者，他們來自中國和澳洲的多所大學(xué)和研究機構(gòu)。
主要作者包括：沈云秀（第一作者）
張?zhí)靹P（共同第一作者）
徐桂英（共同第一作者）
Julian A. Steele
陳賢凱
通訊作者包括：張曉宏
高峰
李耀文
鈣鈦礦太陽能電池壽命評估的挑戰(zhàn)
在過去十年中，鈣鈦礦太陽能電池經(jīng)歷了快速發(fā)展。然而，目前仍缺乏系統(tǒng)的研究來探討硅太陽能電池中使用的經(jīng)驗壽命評估規(guī)則是否適用于鈣鈦礦太陽能電池。目前業(yè)界普遍認(rèn)為，由于已報導(dǎo)的黑暗中的自愈效應(yīng)，鈣鈦礦太陽能電池在晝夜循環(huán)下表現(xiàn)出更高的穩(wěn)定性。現(xiàn)有的加速應(yīng)力測試方案大多使用 ISOS-L 或 ISOS-LC 方案來估計電池板壽命，這些方案通常在連續(xù)照明模式下進行。 然而，鈣鈦礦中的離子缺陷可能會挑戰(zhàn)基于連續(xù)模式測試評估壽命的有效性，因為這些缺陷會在晝夜循環(huán)模式下導(dǎo)致“疲勞”行為，并且在黑暗中靜置一段時間后性能會恢復(fù)。
該圖展示了基于 FAPbI3 的鈣鈦礦太陽能電池在連續(xù)光照和晝夜循環(huán)兩種工作模式下的穩(wěn)定性。 圖中分別繪制了兩種模式下器件的 PCE 隨時間的變化曲線，可以直觀地比較兩種工作模式對器件穩(wěn)定性的影響，并觀察到循環(huán)模式下 PCE 衰減更快
這些圖表展示了 Ph-Se-Cl 改性后鈣鈦礦太陽能電池在不同器件結(jié)構(gòu)和工作條件下的穩(wěn)定性。
圖 4b 和 4c 展示了在模擬自然晝夜循環(huán)工作模式下，基于 FAPbI3/PEAI/Spiro-OMeTAD 和 FAPbI3/BDT-DPA-F 的鈣鈦礦太陽能電池的穩(wěn)定性。
圖 4d 則展示了基于 FAPbI3、FA0.92MA0.08PbI3 和 Cs0.05FA0.7MA0.25PbI2.6Br0.4 三種不同活性層組成的鈣鈦礦太陽能電池在連續(xù)光照和晝夜循環(huán)模式下的穩(wěn)定性統(tǒng)計圖表。
這些圖表可以用來分析 Ph-Se-Cl 改性對不同器件結(jié)構(gòu)和活性層組成的鈣鈦礦太陽能電池穩(wěn)定性的提升效果，并比較其在不同工作條件下的性能差異。
晶格應(yīng)變對鈣鈦礦太陽能電池性能的影響
除了離子缺陷外，鈣鈦礦的另一個固有特性——軟晶格——也使得連續(xù)模式與循環(huán)模式在鈣鈦礦太陽能電池中的表現(xiàn)截然不同。 自然晝夜循環(huán)過程中的溫度變化會導(dǎo)致軟鈣鈦礦的晶格膨脹/收縮，這會嚴(yán)重影響鈣鈦礦太陽能電池的性能。然而，以往關(guān)于鈣鈦礦太陽能電池在晝夜循環(huán)模式下穩(wěn)定性的研究大多將工作溫度固定在室溫 (RT) （以及 ISOS-LC 協(xié)議），而忽略了溫度誘導(dǎo)效應(yīng)。最近一項為期兩年多的長期追蹤研究表明，與恒定照明測量相比，鈣鈦礦太陽能電池在自然晝夜循環(huán)模式下的穩(wěn)定性可能截然不同。因此，深入了解在模擬自然晝夜循環(huán)模式下鈣鈦礦太陽能電池的壽命至關(guān)重要。
解決方案：晶格應(yīng)變調(diào)控
本研究旨在探討自然晝夜循環(huán)模式下鈣鈦礦太陽能電池加速衰減的關(guān)鍵因素，并提出有效的解決方案。 研究發(fā)現(xiàn)，循環(huán)模式下的周期性晶格應(yīng)變是導(dǎo)致深陷阱積累和化學(xué)降解的主要原因。 為了減輕晶格應(yīng)變，研究人員選擇苯基硒化氯 (Ph-Se-Cl) 作為添加劑。 苯基硒化氯具有以下優(yōu)勢：
與 Pb2+ 離子強烈的配位作用： 可以有效地錨定在晶界 (GBs) 上，抑制晶界處的離子遷移。
大的空間位阻效應(yīng)： 可以有效地調(diào)節(jié)鈣鈦礦的結(jié)晶過程，促進形成更穩(wěn)定的擬立方相。
通過引入 Ph-Se-Cl，可以有效地調(diào)節(jié)晝夜循環(huán)過程中的鈣鈦礦晶格應(yīng)變，從而提高器件的穩(wěn)定性和壽命。
實驗過程與步驟：
材料制備： 研究人員首先合成了 Ph-Se-Cl、Ph-S-Cl 和 Ph-Te-Cl 三種硫?qū)倩锾砑觿⑼ㄟ^核磁共振 (NMR) 光譜對其分子結(jié)構(gòu)進行了表征（補充圖 16）。
器件制備： 采用兩步法制備鈣鈦礦太陽能電池。 首先，將 PbI2 旋涂在 SnO2 基底上，并在 70°C 下退火 1分鐘。 然后，將含有 FAI 和不同濃度 Ph-Se-Cl 的有機鹵化物溶液動態(tài)旋涂在 PbI2 薄膜上，并在 150°C 下退火15分鐘。 最后，通過旋涂 Spiro-OMeTAD 溶液、蒸鍍金電極完成器件制備。
循環(huán)模式下的老化測試： 將制備好的器件置于模擬自然晝夜循環(huán)的環(huán)境中進行老化測試。 循環(huán)模式設(shè)定為 12小時光照（模擬太陽光照強度）、12小時黑暗，器件溫度在光照期間升至約 55°C，在黑暗期間降至室溫。
對照組： 為了比較 Ph-Se-Cl 的效果，研究人員還制備了不含任何添加劑的器件作為對照組。
本研究采用了多種表征手段來研究 Ph-Se-Cl 對鈣鈦礦太陽能電池性能和穩(wěn)定性的影響，其中包括太陽光模擬器、量子效率測量儀、Voc 損耗分析等光焱科技 Enlitech 所生產(chǎn)設(shè)備可量測的表征分析：
電流-電壓 (J-V) 特性測量： 使用太陽光模擬器在標(biāo)準(zhǔn)測試條件 (STC) 下測量器件的 J-V 曲線，從而獲得器件的開路電壓 (Voc)、短路電流密度 (Jsc)、填充因子 (FF) 和光電轉(zhuǎn)換效率 (PCE)。 補充圖 32 展示了經(jīng)過 Ph-Se-Cl 改性后的鈣鈦礦太陽能電池的 J-V 曲線，其認(rèn)證效率達到了 26.3%。 圖 4a 則展示了對照組和 Ph-Se-Cl 改性器件的 J-V 曲線，可以看出 Ph-Se-Cl 改性可以顯著提高器件的 Voc、Jsc 和 FF，從而提高 PCE。
圖 4a 展示了添加 Ph-Se-Cl 改性前后鈣鈦礦太陽能電池的 J-V 曲線。以下列出 J-V 特性曲線數(shù)據(jù)以及相關(guān)解讀與分析：
控制組器件：反掃描方向： Voc = 1.160 V，Jsc = 25.99 mA/cm2，FF = 81.28%，PCE = 24.50%
正掃描方向： Voc = 1.151 V，Jsc = 25.91 mA/cm2，FF = 78.64%，PCE = 23.45%
pero-Ph-Se-Cl 改性器件：反掃描方向： Voc = 1.187 V，Jsc = 26.23 mA/cm2，FF = 84.55%，PCE = 26.32%
正掃描方向： Voc = 1.186 V，Jsc = 26.23 mA/cm2，FF = 82.66%，PCE = 25.72%
外部量子效率 (EQE) 測量： 使用量子效率測量儀測量器件在不同波長光照下的 EQE，從而分析器件的光譜響應(yīng)特性。
補充圖 18c 展示了 Ph-Se-Cl 改性器件的 EQE 光譜，可以看出其在整個可見光范圍內(nèi)都具有較高的 EQE，表明其具有良好的光譜吸收特性。
c，pero-SC 的外量子效率（EQE）光譜。
穩(wěn)定性測試
熱導(dǎo)納光譜 (TAS) 測量
掠入射廣角 X 射線散射 (GIWAXS) 測量
飛行時間二次離子質(zhì)譜 (ToF-SIMS) 測量
密度泛函理論 (DFT) 計算
除了上述光焱科技 Enlitech 可量測的表征分析外，本研究還采用了以下其他表征手段：
掠入射廣角 X 射線散射 (GIWAXS)： 用于研究鈣鈦礦薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和晶格應(yīng)變。 補充圖 6 和補充圖 23 分別展示了純 FAPbI3 薄膜和 Ph-Se-Cl 改性薄膜的 GIWAXS 圖譜。 通過分析 GIWAXS 數(shù)據(jù)，研究人員發(fā)現(xiàn) Ph-Se-Cl 可以促進鈣鈦礦薄膜形成更高對稱性的擬立方相，并有效地釋放了自發(fā)應(yīng)變（圖 3d-3e）。
X 射線光電子能譜 (XPS)： 用于分析鈣鈦礦薄膜的元素組成和化學(xué)態(tài)。 補充圖 20 展示了鈣鈦礦薄膜和含有 Ph-Se-Cl 的鈣鈦礦薄膜的 XPS 分析結(jié)果。 通過分析 XPS 數(shù)據(jù)，研究人員證實了 Pb2+ 和 Ph-Se-Cl 之間的反應(yīng)，并推測 Ph-Se-Cl 和 PbI2 的反應(yīng)產(chǎn)物是一種位于鈣鈦礦晶界處的 PhSe-鉛酸鹽。
深度剖析掃描電子顯微鏡 (SEM)： 用于觀察鈣鈦礦薄膜的形貌和微觀結(jié)構(gòu)。 補充圖 10 和補充圖 25 分別展示了老化前后純 FAPbI3 器件和 Ph-Se-Cl 改性器件的截面 SEM 圖像。 可以看出，在循環(huán)模式下老化后，純 FAPbI3 薄膜出現(xiàn)了明顯的裂紋和孔洞，而 Ph-Se-Cl 改性薄膜則保持了致密的形貌，表明 Ph-Se-Cl 可以有效地抑制晶格應(yīng)變引起的薄膜形貌損壞。
核磁共振 (NMR)： 用于表征 PhSe-鉛酸鹽粉末的結(jié)構(gòu)。 拓展數(shù)據(jù)圖 5c-5d 分別展示了 PhSe-鉛酸鹽的 1H NMR 和 77Se NMR 譜圖。 通過分析 NMR 數(shù)據(jù)，研究人員證實了 PhSe-鉛酸鹽粉末中存在 Ph 和 Se 元素，進一步支持了 PhSe-鉛酸鹽的形成。
光譜密度泛函理論 (DFT) 計算： 用于研究 Cl 在 α-FAPbI3 鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中的作用。 補充圖 17 展示了 DFT 計算的結(jié)果。 計算結(jié)果表明，Cl 可以取代 I 并保留在鈣鈦礦晶格中，并且 Cl 的引入可以降低 α-FAPbI3 的形成能，從而改善鈣鈦礦的結(jié)晶動力學(xué)，形成更有序的晶格，進而釋放晶格應(yīng)變。
研究成果
本研究的主要研究成果如下：
發(fā)現(xiàn)高效FAPbI3 鈣鈦礦太陽能電池在自然晝夜循環(huán)模式下的衰減速度比連續(xù)照明模式下更快。
揭示了循環(huán)模式下加速衰減的主要原因是運行過程中鈣鈦礦熱脹冷縮引起的晶格應(yīng)變。
提出了一種通過引入 Ph-Se-Cl 來調(diào)節(jié)晶格應(yīng)變的有效策略，顯著提高了器件在循環(huán)模式下的穩(wěn)定性和壽命。
本研究的重要研究手段包括：
太陽光模擬器和量子效率測量儀等光焱科技 Enlitech 所生產(chǎn)設(shè)備可量測的表征分析。
掠入射廣角 X 射線散射 (GIWAXS)、X 射線光電子能譜 (XPS)、深度剖析掃描電子顯微鏡 (SEM)、核磁共振 (NMR) 和光譜密度泛函理論 (DFT) 計算等。
本研究的結(jié)果表明，晶格應(yīng)變調(diào)控是提高鈣鈦礦太陽能電池在自然運行條件下穩(wěn)定性的關(guān)鍵，為鈣鈦礦太陽能電池的商業(yè)化應(yīng)用提供了重要的參考。
深入探討晶格應(yīng)變與器件衰減的關(guān)系
循環(huán)模式下的晶格應(yīng)變和薄膜應(yīng)力
為了更深入地了解循環(huán)模式下晶格應(yīng)變的影響，研究人員對 FAPbI3 鈣鈦礦太陽能電池進行了一系列深入的研究。
首先，通過溫度相關(guān)的 X 射線衍射 (XRD) 測量發(fā)現(xiàn)，在退火溫度到室溫的冷卻過程中，(004)/(220) 平面的對稱衍射峰變得不對稱，其半峰寬 (FWHM) 從~0.11o 擴展到~0.15o（補充圖 4a）。 這表明在循環(huán)模式下，隨著溫度的變化，鈣鈦礦晶格會發(fā)生扭曲和對稱性變化，從而產(chǎn)生晶格應(yīng)變。
進一步的計算表明，FAPbI3 薄膜的應(yīng)力約為 111.8 MPa（補充圖 4b）。 值得注意的是，通過比較鈣鈦礦粉末（視為無應(yīng)力狀態(tài)）和鈣鈦礦薄膜的特征峰，發(fā)現(xiàn)鈣鈦礦薄膜在冷卻過程中會經(jīng)歷從壓應(yīng)力到拉應(yīng)力的轉(zhuǎn)變（晶格應(yīng)力大約從 0.3 MPa 到 -0.2 MPa），并在~70°C 時呈現(xiàn)無應(yīng)力狀態(tài)（補充圖 4d）。 這與晝夜循環(huán)模式下光和熱輻射引起的晶格膨脹相吻合。
研究人員還利用曲率測量方法計算了薄膜應(yīng)力（補充說明 2）。 在~25°C 的恒定光照下，晶格應(yīng)力緩慢釋放（在 200 分鐘內(nèi)釋放~15 MPa）（補充圖 9a）。 然而，在~25°C 到~55°C 的循環(huán)光照下，晶格應(yīng)力迅速降低（在幾分鐘內(nèi)降低~30 MPa）（補充圖 9b）。 這些結(jié)果表明，光致熱在晶格膨脹和收縮中起著關(guān)鍵作用，而循環(huán)模式下的溫度波動會導(dǎo)致周期性的晶格應(yīng)變和薄膜應(yīng)力變化，進而影響器件的穩(wěn)定性。
缺陷演變與離子遷移
晶格應(yīng)變會導(dǎo)致鈣鈦礦薄膜中缺陷的形成和積累。 研究人員利用熱導(dǎo)納譜 (TAS) 和深能級瞬態(tài)譜 (DLCP) 研究了不同工作模式下缺陷的演變動態(tài)（補充說明 3）。 
結(jié)果表明，在連續(xù)模式和循環(huán)模式下老化后，器件都出現(xiàn)了兩個陷阱帶：一個中心位于~0.27 eV（淺陷阱區(qū)：陷阱帶 I），另一個中心位于~0.37 eV（深陷阱區(qū)：陷阱帶 II）（補充圖 11 和圖 2a）[13]。 然而，循環(huán)模式下陷阱帶 II 的強度增加遠(yuǎn)高于連續(xù)模式，表明循環(huán)模式下更容易形成深陷阱（圖 2a）。 通過空間分辨 DLCP 測量進一步發(fā)現(xiàn)，深陷阱主要分布在靠近 Spiro-OMeTAD 層的區(qū)域（圖 2b）。 這可能是由于循環(huán)模式下的晶格應(yīng)變促進了 I- 離子的遷移，并在 Spiro-OMeTAD 層附近積累。
此外，研究人員還通過溫度相關(guān)的電導(dǎo)率測量研究了離子遷移的動力學(xué)。 結(jié)果表明，在循環(huán)模式下，器件的離子遷移活化能 (Ea) 從 0.25 eV 降低到 0.13 eV（圖 2c 和補充圖 14）。 而Ea在連續(xù)老化過程中幾乎恒定在 0.19 eV（圖 2c 和補充圖 14）。 Ea 的持續(xù)降低表明循環(huán)模式下離子遷移加劇，這會導(dǎo)致更嚴(yán)重的衰減（補充圖 15）。 循環(huán)模式下深缺陷的積累和離子遷移活化能的降低可以歸因于黑暗周期中晶格應(yīng)變的重新形成。 如圖 2d-2e 所示，在連續(xù)模式下，光照和工作溫度 (~55°C) 逐漸釋放了晶格應(yīng)變，阻礙了缺陷的產(chǎn)生和 PCE 的衰減。 然而，在循環(huán)模式下，晶格在室溫的黑暗周期中收縮并回到不對稱的正交相，導(dǎo)致晶格應(yīng)變重新形成。 因此，在下一個光照周期中，收縮的晶格會不斷誘導(dǎo)深陷阱的產(chǎn)生，而這些深陷阱很難自愈。
循環(huán)模式下加速衰減的機制
綜合上述分析，可以得出以下結(jié)論：
循環(huán)模式下的溫度波動會導(dǎo)致周期性的晶格應(yīng)變和薄膜應(yīng)力變化。
晶格應(yīng)變會促進深陷阱的形成和積累，并降低離子遷移的活化能。
深陷阱的積累和離子遷移的加劇會導(dǎo)致器件性能的加速衰減。
因此，循環(huán)模式下鈣鈦礦太陽能電池的加速衰減是晶格應(yīng)變、缺陷演變和離子遷移共同作用的結(jié)果。
Ph-Se-Cl 的作用機制
Ph-Se-Cl 與鈣鈦礦前驅(qū)體的相互作用
為了驗證 Ph-Se-Cl 在抑制晶格應(yīng)變方面的作用，研究人員首先研究了 Ph-Se-Cl 與鈣鈦礦前驅(qū)體的相互作用。 通過紫外-可見 (UV-Vis) 吸收光譜和傅里葉變換紅外 (FTIR) 光譜分析發(fā)現(xiàn)，Ph-Se-Cl 可以與 FAI 發(fā)生離子交換反應(yīng)，生成 Ph-Se-I 和 Cl-，并且 Ph-Se-Cl 可以與 PbI2 反應(yīng)，形成一種新的化合物（補充圖 19）。 
XPS 分析進一步證實了 Pb2+ 和 Ph-Se-Cl 之間的反應(yīng)（補充圖 20）。 研究人員通過 HR-TEM 和 GIWAXS 測量確認(rèn)了這種新化合物是 PhSe-鉛酸鹽（補充圖 21-22 和圖 3c）。 PhSe-鉛酸鹽具有較大的空間位阻效應(yīng)，可以有效地錨定在鈣鈦礦晶界上，抑制晶界處的離子遷移，從而提高器件的穩(wěn)定性。
Ph-Se-Cl 對晶格應(yīng)變的調(diào)控
研究人員利用 GIWAXS 測量了 Ph-Se-Cl 對鈣鈦礦薄膜晶格應(yīng)變的影響。 結(jié)果表明，與室溫下呈正交相的純 FAPbI3 薄膜不同，Ph-Se-Cl 改性的鈣鈦礦薄膜在室溫下呈現(xiàn)更高對稱性的擬立方相（拓展數(shù)據(jù)圖 6 和圖 3d）。 這可能是由于 Ph-Se-Cl 調(diào)節(jié)了鈣鈦礦的結(jié)晶過程。 此外，(002)/(110) 和 (004)/(220) 平面的特征衍射峰在角度相關(guān)的 GIWAXS 測量中保持對稱，表明整個 Ph-Se-Cl 改性薄膜的結(jié)晶均勻（補充圖 23）。 更對稱的晶格也有效地釋放了自發(fā)應(yīng)變（圖 3e 和補充表 5）。
除了在室溫下釋放自發(fā)應(yīng)變外，研究人員還利用原位 GIWAXS 測量了模擬循環(huán)模式下 Ph-Se-Cl 改性薄膜的晶格應(yīng)變演變。 結(jié)果表明，在整個循環(huán)過程中，鈣鈦礦的衍射峰幾乎沒有變化，表明 Ph-Se-Cl 的添加抑制了晶格體積的變化（圖 3f-3g）這可能與 PhSe-鉛酸鹽在晶界處增強的晶格對稱性和錨定效應(yīng)有關(guān)，使得光/熱驅(qū)動的膨脹空間很小。 因此，在循環(huán)模式下，晶胞體積和衍射峰的展寬幾乎沒有變化（圖 3h 和補充圖 24）。 更對稱的 FAPbI3 鈣鈦礦相，以及 PhSe-鉛酸鹽在晶界處的較大空間位阻效應(yīng)，使得鈣鈦礦晶格對光照和溫度循環(huán)的敏感性降低，從而抑制了整個循環(huán)模式下晶格應(yīng)變引起的鈣鈦礦衰減。
Ph-Se-Cl 提高器件穩(wěn)定性
形貌、缺陷和離子遷移的改善
通過調(diào)節(jié)晶格應(yīng)變，Ph-Se-Cl 可以有效地提高鈣鈦礦太陽能電池的穩(wěn)定性。 在循環(huán)模式下老化后，Ph-Se-Cl 改性的鈣鈦礦薄膜保持了致密的形貌（補充圖 25），并且老化后的器件在陷阱帶 II 中的缺陷態(tài)密度 (tDOS) 比對照器件低一個數(shù)量級（補充圖 26）。 
此外，在連續(xù)模式下，光照下離子遷移的 Ea 從~0.184 eV 增加到~0.381 eV，在循環(huán)模式下，Ea 從~0.131 eV 增加到~0.377 eV（補充圖 27-28）。 Ea 的顯著提高最大限度地減少了離子從活性層遷移到 HTL 的現(xiàn)象（補充圖 29-30）。
器件壽命的提升
較低的深陷阱密度和較高的離子遷移 Ea 可以有效地減緩鈣鈦礦太陽能電池的衰減速率。 在連續(xù)模式下（補充圖 31），Ph-Se-Cl 改性器件（認(rèn)證 PCE 為 26.3%，圖 4a 和補充圖 32）在 1000 小時的持續(xù)光照后仍能保持其初始效率的~95%，而對照器件的效率僅為~70%（圖 4b）。 在循環(huán)模式下，Ph-Se-Cl 改性器件在 13 個晝夜循環(huán)（光照時間為 156 小時）后仍能保持其初始效率的~86%，而對照器件的效率僅為~39%（圖 4b）。 這表明 Ph-Se-Cl 可以有效地提高鈣鈦礦太陽能電池在循環(huán)模式下的穩(wěn)定性，其性能與目前的封裝鈣鈦礦太陽能電池相當(dāng)（補充表 1）。
不同組成和條件下的穩(wěn)定性
為了進一步驗證 Ph-Se-Cl 的普適性，研究人員還測試了不同組成和不同條件下 Ph-Se-Cl 對器件穩(wěn)定性的影響。 結(jié)果表明，Ph-Se-Cl 可以有效地提高基于 FA0.92MA0.08PbI3 和 Cs0.05FA0.7MA0.25PbI2.6Br0.4 的鈣鈦礦太陽能電池在循環(huán)模式下的穩(wěn)定性（圖 4d）[37]。 此外，在更苛刻的條件下，例如更高的工作溫度 (85°C) 和更穩(wěn)定的 BDT-DPA-F HTL，Ph-Se-Cl 仍然可以有效地提高器件的穩(wěn)定性（圖 4c 和拓展數(shù)據(jù)圖 7）[38, 39]。 這些結(jié)果表明，Ph-Se-Cl 調(diào)節(jié)晶格應(yīng)變是一種通用的策略，可以有效地提高各種鈣鈦礦太陽能電池的穩(wěn)定性。
總結(jié)
本研究揭示了自然晝夜循環(huán)模式下鈣鈦礦太陽能電池加速衰減的關(guān)鍵因素——晶格應(yīng)變，并提出了一種通過引入 Ph-Se-Cl 來調(diào)節(jié)晶格應(yīng)變的有效策略。 Ph-Se-Cl 可以與鈣鈦礦前驅(qū)體反應(yīng)，形成 PhSe-鉛酸鹽，錨定在鈣鈦礦晶界上，抑制晶界處的離子遷移，并促進形成更高對稱性的擬立方相，從而有效地抑制晶格應(yīng)變，提高器件的穩(wěn)定性和壽命。 本研究為提高鈣鈦礦太陽能電池在自然運行條件下的穩(wěn)定性提供了重要的參考，為鈣鈦礦太陽能電池的商業(yè)化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
文獻參考自NATURE_DOI: 10.1038/s41586-024-08161-x
本文章為Enlitech光焱科技改寫 用于科研學(xué)術(shù)分享 如有任何侵權(quán) 請來信告知
微信掃一掃
